1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; SiC; N; 1,2кВ; 43А; 142Вт; TO247-3

Транзистор: N-MOSFET; SiC; N; 1,2кВ; 43А; 142Вт; TO247-3
Немає в наявності
Код товару: IXSJ43N120R1
633,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXSJ43N120R1
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 79нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -4...12В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 36мОм
Поляризація: N
Потужність розсіювання: 142Вт
Струм стока: 43А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 5; 2м; вилка; 60ВDC; 60ВAC; 4А; PUR
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 5; 2м; вилка; 60ВDC; 60ВAC; 4А; PUR

1005,45 грн

Довжина кабелю:
2м
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP65; IP67; IP68; IP69K
Колір ізоляції:
чорний
Діод: TVS; 0,6кВт; 64,4В; 6,4А; односпрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 64,4В; 6,4А; односпрямована; DO214AA,SMB; Ch: 1

2,91 грн

Зворотна напруга макс.:
58В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AA; SMB
Монтаж:
SMD
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвих: 9ВDC; SIP7; THT; AM2D-RZ; ККД: 87%
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвих: 9ВDC; SIP7; THT; AM2D-RZ; ККД: 87%

299,04 грн

Вихідна напруга:
9В DC
Кількість виходів:
1
ККД:
87%
Корпус:
SIP7
Недоступний
Діод: TVS; 1кВт; 150В; 4,8А; двоспрямована; ±5%; DO214AA; 1KSMB
Діод: TVS; 1кВт; 150В; 4,8А; двоспрямована; ±5%; DO214AA; 1KSMB

15,65 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
128В
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; SMT; 3A; 250V

243,92 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
10,1мм
Connector: PCB to PCB; plug; data; straight; 300mA; 0.5mm; LCP
Connector: PCB to PCB; plug; data; straight; 300mA; 0.5mm; LCP

150,15 грн

Connector family:
data
Матеріал корпусу:
LCP
Номінальний струм:
0,3А
Підключення:
вилка
Насадка: 6-гранна; насадковий; HEX 13/16"; 3/8"; 29мм
Насадка: 6-гранна; насадковий; HEX 13/16"; 3/8"; 29мм

348,45 грн

Вид ключа:
насадковий
Довжина насадки:
29мм
Розмір гнізда - дюйм:
HEX 13/16"
Розмір гнізда тримача - дюйм:
3/8"
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 347Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 347Вт; TO220AB

339,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; 500Вт; TO247-3; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; 500Вт; TO247-3; 400нс

391,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
54нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™

681,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,35мкКл
Корпус:
ISOPLUS i5-pac™
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт

699,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
97нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; Idm: 180А; 107Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; Idm: 180А; 107Вт; TO220

295,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А

106,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 25А; Idm: 160А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 25А; Idm: 160А

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD