Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 18А; Idm: 58А; 56Вт

Немає в наявності
Код товару: MXP120A080FW-GE3
487,84 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MXP120A080FW-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 47,3нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -5...20В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 0,175Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 56Вт
Струм стока: 18А
Струм стоку в імпульсі: 58А
Технологія: MaxSiC™; SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: metal oxide; 1Ом; THT; 2Вт; ±5%; 500В; 10x3,9мм; -55÷155°C
Резистор: metal oxide; 1Ом; THT; 2Вт; ±5%; 500В; 10x3,9мм; -55÷155°C

4,88 грн

Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
10x3,9мм
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Монтаж:
THT
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; 6м; 60ВDC; 1,5А; Жили: 4; PUR; автоматика
Кабель: до датчиків; PIN: 4; 6м; 60ВDC; 1,5А; Жили: 4; PUR; автоматика

3651,17 грн

Довжина кабелю:
6м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP66K; IP67
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,99 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,7пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0202
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0202

33,83 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Конденсатор: керамічний; 100пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; 100пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
0,1нФ
Connector: wire-board; plug; male; data; PIN: 20; 2.5mm; polyester
Connector: wire-board; plug; male; data; PIN: 20; 2.5mm; polyester

97,57 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
20
Недоступний
Резистор: thick film; 300кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HP; 200В
Резистор: thick film; 300кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HP; 200В

1,29 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 9,2А; Idm: 28А; 156Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 9,2А; Idm: 28А; 156Вт; TO220AB

148,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 5А; Idm: 32А; 70Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 5А; Idm: 32А; 70Вт

190,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 110А; Idm: 440А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 110А; Idm: 440А

146,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
117нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 12,6А; Idm: 80А; 192Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 12,6А; Idm: 80А; 192Вт

297,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт

475,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
58нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 650В; 26А; Idm: 90А; 350Вт

230,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
58нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 31Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 31Вт

140,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO220FP