Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 24А; Idm: 52А; 93Вт

Немає в наявності
Код товару: DI120SIC081D7
526,48 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DI120SIC081D7
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 55нКл
Корпус: TO263-7
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 81мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 93Вт
Струм стока: 24А
Струм стоку в імпульсі: 52А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: M12; гніздо; промислова; 48В; IP67; SMT; 500мА
Роз’єм: M12; гніздо; промислова; 48В; IP67; SMT; 500мА

443,49 грн

Alias:
SAL-12X-IK8/SMT
Connector family:
промислова
Електричний монтаж:
SMT
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,4пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,4пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,09 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,4пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 2,5В; X6S; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 2,5В; X6S; ±20%; SMD; 0805

5,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±20%
Реактор: дротяний; THT; 1мГн; 60мА; ±5%; Вив: осьові; ферит; 31,4Ом
Реактор: дротяний; THT; 1мГн; 60мА; ±5%; Вив: осьові; ферит; 31,4Ом

6,59 грн

Виводи:
осьові
Високосортність:
60
Допуск:
±5%
Індуктивність:
1мГн
Недоступний
Резистор: thick film; 6,2Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 6,2Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

1,20 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
6,2Ом
Недоступний
Резистор: thin film; 40,2Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 40,2Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%

37,38 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68пФ; 500В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1111
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68пФ; 500В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1111

50,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

775,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
SMT Top Side Cooling; виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 4А; Idm: 28А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 4А; Idm: 28А; 1Вт; SOT23

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
13нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
70,8нКл
Корпус:
D2PAK; SOT404
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 245А; 48Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 245А; 48Вт

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,9нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669