Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8,6А; Idm: 392А; 3,7Вт

Немає в наявності
Код товару: NVBG020N120SC1
2657,76 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NVBG020N120SC1
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 0,22мкКл
Корпус: D2PAK-7
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -5...20В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 50мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,7Вт
Струм стока: 8,6А
Струм стоку в імпульсі: 392А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 400Вт; 22,8В; 12А; двоспрямована; DO214AC,SMA; P4SMA
Діод: TVS; 400Вт; 22,8В; 12А; двоспрямована; DO214AC,SMA; P4SMA

6,40 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
20,5В
Корпус:
DO214AC; SMA
Недоступний
Резистор: thin film; 417Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 417Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

8,81 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 12÷18ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 42мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 12÷18ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 42мА

204,00 грн

Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
42мА
Вхідна напруга:
12...18В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NC; 0÷4мм; 10÷30ВDC; M12; 2м; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NC; 0÷4мм; 10÷30ВDC; M12; 2м; IP67

1476,81 грн

Вид голівки:
неекранований
Дальність:
0...4мм
Довжина відводів:
2м
Загальна довжина:
61мм
Недоступний
LED; 4мм; бурштиновий; 950÷1250мкд; 50÷110°; Голівка: опукла
LED; 4мм; бурштиновий; 950÷1250мкд; 50÷110°; Голівка: опукла

4,05 грн

Голівка:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
4мм
Довжина хвилі λd:
590нм
Кількість виводів:
2
Недоступний
Резистор: thick film; 1,21кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D
Резистор: thick film; 1,21кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D

1,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
IC: PMIC; контролер зарядки акумуляторів; 6,5В; 2-4 x Li+; SO16
IC: PMIC; контролер зарядки акумуляторів; 6,5В; 2-4 x Li+; SO16

783,07 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер зарядки акумуляторів
Вихідна напруга:
6,5В
Інтерфейс:
HDQ
Кількість акумуляторів:
2-4 x Li+
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 53А; 30Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 53А; 30Вт; PG-TDSON-8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3

169,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3

72,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,4А; 8Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,4А; 8Вт; DFN3x3 EP

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,12А; 325мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,12А; 325мВт; SOT23,TO236AB

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
TO252