1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 80А; Idm: 408А; 577Вт

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 80А; Idm: 408А; 577Вт
Немає в наявності
Код товару: MSC025SMA120B4N
1376,71 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MSC025SMA120B4N
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 232нКл
Корпус: TO247-4-notch
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 31мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 577Вт
Сімейство: SMA
Стандартне пакування виробника: 30шт.
Струм стока: 80А
Струм стоку в імпульсі: 408А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 10А; Полюси: 3
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 10А; Полюси: 3

1485,68 грн

Виводи:
самозажимна клемма
Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Кількість полюсів:
3
Недоступний
Перемикач: поворотний; Фікс.поз: 10; BBM (non-shorting); IP67; THT
Перемикач: поворотний; Фікс.поз: 10; BBM (non-shorting); IP67; THT

855,93 грн

Виводи:
для друку
Діаметр осі:
3,17мм
Довжина осі:
10,16мм
Електрична стійкість:
10000 цикли
Недоступний
Резистор: thick film; 160кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; 200В
Резистор: thick film; 160кОм; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; 200В

0,66 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт

1148,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
305нКл
Корпус:
TO247MAX
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 8,2А; Idm: 38А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 600В; 8,2А; Idm: 38А

140,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 280В; 8А; Idm: 32А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 280В; 8А; Idm: 32А

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
9,8нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 55А; Idm: 220А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 60В; 55А; Idm: 220А; 44Вт

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
73нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,6А; Idm: 18А; 32Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,6А; Idm: 18А; 32Вт; TO220FP

123,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 12А; Idm: 24А; 180Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 12А; Idm: 24А; 180Вт; TO220AB

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 200мА; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 200мА; Idm: 0,5А; 0,4Вт; TO92

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT