Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 100А; Idm: 280А; 420Вт

Немає в наявності
Код товару: SCTW100N65G2AG
1813,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SCTW100N65G2AG
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 162нКл
Корпус: HIP247™
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -10...22В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 26мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 420Вт
Струм стока: 100А
Струм стоку в імпульсі: 280А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кристал; 25МГц; 18пФ; ±10ppm; ±3ppm/рік; 2,5x2x0,55мм; -20÷70°C
Кристал; 25МГц; 18пФ; ±10ppm; ±3ppm/рік; 2,5x2x0,55мм; -20÷70°C

5,13 грн

Довготривала стабільність:
±3ppm/рік
Ємність:
18пФ
Робоча температура:
-20...70°C
Розміри:
2,5x2x0,55мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 16ВDC; X6S; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 16ВDC; X6S; ±10%; SMD; 0201

0,40 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Недоступний
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 100 SY; 7G0,75мм2; ПВХ; прозорий; CPR: Eca
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 100 SY; 7G0,75мм2; ПВХ; прозорий; CPR: Eca

235,05 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з оцинкованих сталевих проводів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Недоступний
Connector: PCB to PCB; plug; male; data; PIN: 32; LAT-CON127; 1.2A
Connector: PCB to PCB; plug; male; data; PIN: 32; LAT-CON127; 1.2A

101,37 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
ролик
Висота:
6,7мм
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,9А; Idm: -10А; 1,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,9А; Idm: -10А; 1,5Вт

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
W-DFN5020-6
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 25; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 25; THT; straight

30,73 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,7мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 10Ом; SMD; 0805; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 10Ом; SMD; 0805; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C

7,60 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 347Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 16А; 347Вт; TO220AB

339,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; 500Вт; TO247-3; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 32А; 500Вт; TO247-3; 400нс

391,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
ultra junction x-class
Заряд затвора:
54нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1кВ; 29А; 520Вт; ISOPLUS i5-pac™

681,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,35мкКл
Корпус:
ISOPLUS i5-pac™
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 900В; 10,5А; Idm: 36А; 200Вт

699,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
97нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; Idm: 180А; 107Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; Idm: 180А; 107Вт; TO220

295,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 60В; 80А; Idm: 320А

106,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 25А; Idm: 160А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 900В; 25А; Idm: 160А

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD