1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 45А; Idm: 90А; 240Вт

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 45А; Idm: 90А; 240Вт
Немає в наявності
Код товару: SCTWA35N65G2V-4
825,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SCTWA35N65G2V-4
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 73нКл
Корпус: HIP247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -10...22В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 67мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 240Вт
Струм стока: 45А
Струм стоку в імпульсі: 90А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 71А; Idm: 352А; 25Вт; DFN5
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 71А; Idm: 352А; 25Вт; DFN5

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
DFN5
IC: мікроконтролер PIC; 3кБ; 20МГц; ICSP; 2÷5,5ВDC; SMD; SO28; PIC16
IC: мікроконтролер PIC; 3кБ; 20МГц; ICSP; 2÷5,5ВDC; SMD; SO28; PIC16

61,45 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
PoR; watchdog
Інтерфейс:
ICSP
Резистор: thin film; 1,5кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 1,5кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

12,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 178Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 178Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 6,98МОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 6,98МОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

10,96 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; AC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; AC; -55÷155°C

1,20 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Вимикач максимального струму; 3,5А; Полюси: 1; SNAP-IN; TA45 2P
Вимикач максимального струму; 3,5А; Полюси: 1; SNAP-IN; TA45 2P

1102,38 грн

Виводи:
гвинтові виводи; конектори
Кількість полюсів:
1
Колір кнопки:
зелений
Монтаж:
snap-in
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; Idm: 100А; 41,7Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; Idm: 100А; 41,7Вт; TO220-3

32,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 16А; Idm: 64А; 30Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 16А; Idm: 64А; 30Вт; TO220FP

112,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 16А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 4А; Idm: 16А; 20Вт; TO220FP

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
5,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 45А; Idm: 180А; 30Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 45А; Idm: 180А; 30Вт; TO220FP

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 6А; Idm: 24А; 25Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 6А; Idm: 24А; 25Вт; TO220FP

165,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16,5нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 46А; Idm: 223А; 130Вт

354,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT