Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 12А; Idm: 69А; 59Вт

Немає в наявності
Код товару: NTHL160N120SC1
491,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTHL160N120SC1
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 34нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -15...25В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 0,16Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 59Вт
Струм стока: 12А
Струм стоку в імпульсі: 69А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; THT; 3A; 250V

120,38 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Датчик: тиску; 12615мбар; зразковий; OUT: I2C; SMT; -40÷85°C; MPR
Датчик: тиску; 12615мбар; зразковий; OUT: I2C; SMT; -40÷85°C; MPR

Діапазон вимірювання тиску:
12615мбар
Конфігурація виходу:
I2C
Монтаж:
SMT
Робоча температура:
-40...85°C
Недоступний
Резистор: thick film; 820кОм; 0603; 100мВт; ±5%; ERJ3GEY; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 820кОм; 0603; 100мВт; ±5%; ERJ3GEY; 200ppm/°C

0,22 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 464Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 464Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

9,88 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 287кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 287кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

9,88 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 5А; 50Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 5А; 50Вт; TO220-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 7А; 29Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 7А; 29Вт; TO220FP

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 11А; 85Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 11А; 85Вт; TO251

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс

202,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
49нКл
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3

579,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P

748,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
102нКл
Корпус:
TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™

632,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
ISOPLUS264™