1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 23А; 136Вт; D2PAK-7

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 23А; 136Вт; D2PAK-7
Немає в наявності
Код товару: LGE3M80120J
657,63 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: LGE3M80120J
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 20,8нКл
Корпус: D2PAK-7
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -3...15В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 96мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 136Вт
Струм стока: 23А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷75ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC

414,98 грн

Використання:
енергетика; промисловість; телекомунікація
Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0,6А
Конденсатор: електролітичний; low ESR; 1000мкФ; 450ВDC; Ø50x105мм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; 1000мкФ; 450ВDC; Ø50x105мм

3079,07 грн

Виводи:
болтове
Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
105мм
Діаметр:
50мм
Недоступний
Резистор: thick film; 510Ом; SMD; 1206; 600мВт; ±5%; AS; 200В
Резистор: thick film; 510Ом; SMD; 1206; 600мВт; ±5%; AS; 200В

1,05 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Конденсатор: керамічний; 1,8нФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 1,8нФ; 200В; X7R; ±10%; SMD; 0603

4,18 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1,8нФ
Корпус - дюйм:
0603
Роз’єм: провід-провід; натуральний; вилка; штекерний,гніздовий
Роз’єм: провід-провід; натуральний; вилка; штекерний,гніздовий

37,38 грн

Вид роз’єму:
гніздовий; штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
6
Клас горючості:
UL94HB
Недоступний
Резистор: thick film; 51Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 51Ом; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,59 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
51Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,9пФ
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; Idm: 1,2А; 0,26Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,6нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 2А; 2,1Вт; SOT223

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT223