Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 31А; Idm: 70А; 300Вт

Немає в наявності
Код товару: LGE3M80120Q
673,47 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: LGE3M80120Q
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 76нКл
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -5...20В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 0,13Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 31А
Струм стоку в імпульсі: 70А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; DPDT; Iконтактів max: 2А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; DPDT; Iконтактів max: 2А

130,51 грн

Зовнішні розміри:
14x9x5,6мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
2А
Матеріал контакту:
сплав срібла
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
LED стрічка; теплий білий; Корп.(мм): 2835; LED/м: 120; 10мм; IP65
LED стрічка; теплий білий; Корп.(мм): 2835; LED/м: 120; 10мм; IP65

319,31 грн

Відповідність стандарту:
UL
Властивості джерел світла:
біла РСВ
Властивості діодів LED:
у гелі
Кількість LED на метр:
120
Провід; SF/UTP; ETHERLINE® Cat.5e; 4x2x24AWG; Cat 5e; дріт; Cu
Провід; SF/UTP; ETHERLINE® Cat.5e; 4x2x24AWG; Cat 5e; дріт; Cu

209,07 грн

Bластивості проводів:
жили скручені попарно
Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; плівка Al; подвійно екранований
Будова жили:
дріт
Вид жили:
Cu
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,2пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; 0201

0,53 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,2пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF

1,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 124кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 124кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8,1А; Idm: 52А; 51Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 8,1А; Idm: 52А; 51Вт; TO220F

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220F
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 45А; Idm: 90А; 240Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 45А; Idm: 90А; 240Вт

535,99 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
73нКл
Корпус:
HIP247™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; Idm: 48А; 110Вт; I2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 12А; Idm: 48А; 110Вт; I2PAK

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
I2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,27А; Idm: 3А; 0,625Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,27А; Idm: 3А; 0,625Вт; TO92

75,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; Idm: 90А; 370Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; Idm: 90А; 370Вт; TO247

463,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
74нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 105А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 105А; Idm: 320А

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 36А; 77Вт; FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 36А; 77Вт; FTO-220AG (SC91)

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)