Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 51А; Idm: 128А; 348Вт

Немає в наявності
Код товару: AB2M040120Z
209,71 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: AB2M040120Z
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Використання: автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 90нКл
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -4...18В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 40мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 348Вт
Струм стока: 51А
Струм стоку в імпульсі: 128А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 402Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 402Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,01%

61,45 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 630В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

1,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 3,9Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; CQ; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,9Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; CQ; 200В; -55÷155°C

5,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Комплект захисних губок; алюміній; 125мм; 2шт.
Комплект захисних губок; алюміній; 125мм; 2шт.

1910,16 грн

Type of clamping accessories:
set of protective jaws
Кількість в наборі/упаковці:
2шт.
Матеріал:
алюміній
Супутні товари:
SA.201251
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 2кВ; X7R; ±10%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 2кВ; X7R; ±10%; SMD; 1812

10,33 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

1,68 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
12пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0603

0,91 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 50А; Idm: 295А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 50А; Idm: 295А

813,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 26А; Idm: 90А; 34Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 26А; Idm: 90А; 34Вт

274,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
58нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 125Вт

126,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 6А; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 6А; TO220FP

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 10А; Idm: 22А; 29,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 10А; Idm: 22А; 29,5Вт

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
ITO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 110А; Idm: 440А; 104,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 110А; Idm: 440А; 104,2Вт

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; Idm: 352А; 178,6Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; Idm: 352А; 178,6Вт

86,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO220-3