1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 53А; Idm: 140А; 374Вт

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 53А; Idm: 140А; 374Вт
Немає в наявності
Код товару: G3R40MT12J
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 100
Код товару: G3R40MT12J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 106нКл
Корпус: TO263-7
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -5...15В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 40мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 374Вт
Струм стока: 53А
Струм стоку в імпульсі: 140А
Технологія: G3R™; SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,3пФ
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; straight
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 8; THT; straight

11,02 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
8
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 20В; односпрямована; DO214AC,SMA; ролик,cтрічка
Діод: TVS; 0,4кВт; 20В; односпрямована; DO214AC,SMA; ролик,cтрічка

3,22 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DO214AC; SMA
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
20В
Недоступний
Запобіжник: полімерний PTC; THT; 160мА; Iмакс: 2А; 0ZRE
Запобіжник: полімерний PTC; THT; 160мА; Iмакс: 2А; 0ZRE

13,18 грн

Застосування запобіжників:
автомобільні застосування
Максимальна напруга:
240В DC
Максимальний струм:
2А
Монтаж:
THT
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 50В; 1А; Ifsm: 50А; DO15,DO204AC; ролик
Діод: випрямний; THT; 50В; 1А; Ifsm: 50А; DO15,DO204AC; ролик

3,67 грн

Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
50В
Корпус:
DO15; DO204AC
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 4,7мкФ; 16ВDC; SMD; B; 1210; ±10%; TPS
Конденсатор: танталовий; 4,7мкФ; 16ВDC; SMD; B; 1210; ±10%; TPS

16,35 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±10%
Ємність:
4,7мкФ
Корпус:
B
Недоступний
Амперметр; на панель; 40÷72Гц; Властивості: робоче положення 90°
Амперметр; на панель; 40÷72Гц; Властивості: робоче положення 90°

1471,75 грн

Вимір:
струму AC
Властивості шкали:
робоче положення 90°
Довжина шкали:
97мм
Клас герметичності:
IP52
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8