Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 68А; Idm: 186А; 454Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: B2M030120H
280,66 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: B2M030120H
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 115нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -4...18В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 30мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 454Вт
Струм стока: 68А
Струм стоку в імпульсі: 186А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: випрямний; DO203AA,DO4; гвинтовий; 1,5В; 50мкА
Діод: випрямний; DO203AA,DO4; гвинтовий; 1,5В; 50мкА

1798,66 грн

Корпус:
DO4; DO203AA
Монтаж:
гвинтовий
Пряма напруга макс.:
1,5В
Струм витоку:
50мкА
Резистор: thick film; 500мкОм; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; -55÷170°C
Резистор: thick film; 500мкОм; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; -55÷170°C

22,36 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206

2,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2мкФ
Резистор: thick film; 332Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 332Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

1,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,98 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Симістор; 600В; 12А; Igt: 25мА; TO220ABIns; туба
Симістор; 600В; 12А; Igt: 25мА; TO220ABIns; туба

99,47 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO220ABIns
Трансформатор: литий; 4,5ВА; 230ВAC; 7,5В; 7,5В; 300мА; 300мА; PCB
Трансформатор: литий; 4,5ВА; 230ВAC; 7,5В; 7,5В; 300мА; 300мА; PCB

261,02 грн

Виводи вторинної обмотки:
6-7, 9-10
Виводи первинної обмотки:
1-5
Відповідність стандарту:
PN EN 61558
Вторинна напруга 1:
7,5В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 60А; Idm: 240А; 147Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 60А; Idm: 240А; 147Вт; TO220-3

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
24,8нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 23,4А; Idm: 148А; 27Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 23,4А; Idm: 148А; 27Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
59,5нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 16А; Idm: 64А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 16А; Idm: 64А; 35Вт; TO220FP

309,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А; 3Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А; 3Вт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
Ammo Pack
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
TO92 Formed
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 13А; Idm: 52А; 158Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 13А; Idm: 52А; 158Вт; TO220

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 84А; Idm: 295А; 715Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 84А; Idm: 295А; 715Вт

1251,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
373нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; Idm: 72А; 41Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; Idm: 72А; 41Вт; TO220FP

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO220FP