1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 70А; Idm: 250А; 311Вт

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 70А; Idm: 250А; 311Вт
Немає в наявності
Код товару: S2M0025120J
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: S2M0025120J
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 177нКл
Корпус: TO263-7
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -5...20В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 25мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 311Вт
Струм стока: 70А
Струм стоку в імпульсі: 250А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 10ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 10ВDC; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,66 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
4,7мкФ
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 62В; односпрямована; DO214AC,SMA; ролик,cтрічка
Діод: TVS; 0,4кВт; 62В; односпрямована; DO214AC,SMA; ролик,cтрічка

3,22 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DO214AC; SMA
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
62В
Недоступний
Резистор: thin film; 634Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 634Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%

61,45 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 1,2нФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; 1,2нФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0805

18,50 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Ємність:
1,2нФ
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Діод: зенера; 1,5Вт; 15В; DO41; 1мкА; Ufmax: 1,2В
Діод: зенера; 1,5Вт; 15В; DO41; 1мкА; Ufmax: 1,2В

359,86 грн

Допуск:
±1%
Зенерівська напруга:
15В
Корпус:
DO41
Монтаж:
THT
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4÷60ВDC; Uвих: 0,8÷24ВDC; 10А; SMD
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4÷60ВDC; Uвих: 0,8÷24ВDC; 10А; SMD

1173,98 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
0,8...24В DC
Вихідний струм:
10А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,45 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,6пФ
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,115А; Idm: 0,8А; 0,2Вт

6,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 520В; 6А; Idm: 24А; 71Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 520В; 6А; Idm: 24А; 71Вт

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; Idm: 136А; 97Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 24А; Idm: 136А; 97Вт

76,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK; SOT404