Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 81А; 357Вт; TO263; SMB

Немає в наявності
Код товару: MSC025SMB120SDT/R
571,47 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: MSC025SMB120SDT/R
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 357Вт
Сімейство: SMB
Стандартне пакування виробника: 800шт.
Струм стока: 81А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 350мВт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 0,5А; 350мВт; TO92

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Недоступний
Резистор: thin film; 383Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 383Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Лабораторний роз’єм: банан 4мм; гніздо; 32А; червоний; латунь
Лабораторний роз’єм: банан 4мм; гніздо; 32А; червоний; латунь

95,03 грн

Відповідність стандарту:
CAT III 1000V; CAT IV 600V; EN 61010
Загальна довжина:
33мм
Колір:
червоний
Матеріал контакту:
латунь
Недоступний
Перетворювач: AC/DC; 1Вт; Uвх: 85÷305ВAC,100÷430ВDC; Uвих: 7,5ВDC
Перетворювач: AC/DC; 1Вт; Uвх: 85÷305ВAC,100÷430ВDC; Uвих: 7,5ВDC

240,75 грн

Вихідна напруга:
7,5В DC
Вихідний струм:
0,133А
Вхідна напруга:
85...305В AC; 100...430В DC
Зовнішні розміри:
33,7x22,2x15мм
Резистор: thick film; 56кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 56кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,98 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 0603; 62,5мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 3,3Ом; SMD; 0603; 62,5мВт; ±1%; CQ; 75В

0,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 100мкФ; 4ВDC; SMD; B; 1210; ±20%; -55÷125°C
Конденсатор: танталовий; 100мкФ; 4ВDC; SMD; B; 1210; ±20%; -55÷125°C

11,21 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
100мкФ
Корпус:
B
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD