Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 45А; Idm: 106А; 230Вт

Немає в наявності
Код товару: B3M040065L
57,02 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1800
Крок додавання: 1800
Код товару: B3M040065L
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 60нКл
Корпус: TOLL
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -4...18В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 40мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 230Вт
Струм стока: 45А
Струм стоку в імпульсі: 106А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; SMT; 3A; 100V

231,25 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thin film; 100кОм; 0603; 167мВт; ±0,1%; ARM-A; 10ppm/°C
Резистор: thin film; 100кОм; 0603; 167мВт; ±0,1%; ARM-A; 10ppm/°C

5,83 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
100кОм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; SMT; 3A; 250V

234,41 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
10,8мм
Діод: TVS; 3кВт; 7,22В; 267,9А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 3кВт; 7,22В; 267,9А; односпрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

20,78 грн

Зворотна напруга макс.:
6,5В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Недоступний
Трансформатор: литий; 25ВА; 230ВAC; 12В; 12В; 1,04А; 1,04А; PCB; IP00
Трансформатор: литий; 25ВА; 230ВAC; 12В; 12В; 1,04А; 1,04А; PCB; IP00

931,96 грн

Відповідність стандарту:
EN 61558-2-6; UL 5085-1
Вторинна напруга 1:
12В
Вторинна напруга 2:
12В
Зовнішні розміри:
55x81,2x49,2мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0201

0,22 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Ємність:
33пФ
Недоступний
Варистор: багатошарові; SMD; 0603; 19ВDC; 0,1Дж; 48А; 27В
Варистор: багатошарові; SMD; 0603; 19ВDC; 0,1Дж; 48А; 27В

2,81 грн

Енергія 2 мс:
0,1Дж
Корпус - дюйм:
0603
Монтаж:
SMD
Напруга варистора:
27В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

775,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
SMT Top Side Cooling; виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 4А; Idm: 28А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 4А; Idm: 28А; 1Вт; SOT23

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
13нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
70,8нКл
Корпус:
D2PAK; SOT404
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 245А; 48Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 245А; 48Вт

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,9нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669