1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 78А; Idm: 171А; 394Вт

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 78А; Idm: 171А; 394Вт
Немає в наявності
Код товару: B3M025065Z
157,12 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: B3M025065Z
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 98нКл
Корпус: TO247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -5...18В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 25мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 394Вт
Струм стока: 78А
Струм стоку в імпульсі: 171А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; 16,7÷18,6В; 122,9А; односпрямована; ±5%; 3.0SMCJ
Діод: TVS; 3кВт; 16,7÷18,6В; 122,9А; односпрямована; ±5%; 3.0SMCJ

43,08 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
15В
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-112; CuBe; 1.5N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-112; CuBe; 1.5N; push-in; 20mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні; самоочищення
Діаметр наконечника:
1,8мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 60А; Idm: 240А; 147Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 60А; Idm: 240А; 147Вт; TO220-3

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
24,8нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 23,4А; Idm: 148А; 27Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 23,4А; Idm: 148А; 27Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
59,5нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 16А; Idm: 64А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 16А; Idm: 64А; 35Вт; TO220FP

309,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А; 3Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А; 3Вт

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
Ammo Pack
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
TO92 Formed
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 13А; Idm: 52А; 158Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 13А; Idm: 52А; 158Вт; TO220

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 84А; Idm: 295А; 715Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 84А; Idm: 295А; 715Вт

1251,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
373нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; Idm: 72А; 41Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; Idm: 72А; 41Вт; TO220FP

117,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO220FP