Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 650В; 15А; 33Вт; TO220F

Немає в наявності
Код товару: GC280N65F
97,57 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GC280N65F
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 27нКл
Корпус: TO220F
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 33Вт
Струм стока: 15А
Технологія: SJ-MOSFET
Тип транзистора: N-MOSFET
Patch cord; S/FTP; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 0,5м; тросик
Patch cord; S/FTP; Cat 6a; RJ45 вилка,з обох сторін; 0,5м; тросик

85,53 грн

Будова екрану:
обплітка з луджених мідних дротів; пари екрановані фольгою AL-PET; подвійно екранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
S/FTP
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,8пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,76 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,8пФ
Недоступний
Шайба з попереджувальним написом; 16мм; Harmony XB6
Шайба з попереджувальним написом; 16мм; Harmony XB6

245,19 грн

Застосування - серія/виробник:
Harmony XB6
Стандарт перемикача:
16мм
Тип аксесуарів для перемикачів:
шайба з попереджувальним написом
Недоступний
Резистор: thick film; 510Ом; SMD; 1210; 330мВт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 510Ом; SMD; 1210; 330мВт; ±1%; CQ; 200В

0,72 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thin film; 271кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 271кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 16В; X7R; ±5%; SMD; 1206; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 16В; X7R; ±5%; SMD; 1206; 180мм

2,45 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: TVS; 35,25В; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C
Діод: TVS; 35,25В; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -55÷175°C

1087,18 грн

Зворотна напруга макс.:
29,7В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
35,25В
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 50А; Idm: 295А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 50А; Idm: 295А

813,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 26А; Idm: 90А; 34Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 26А; Idm: 90А; 34Вт

274,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
58нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 125Вт

126,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 6А; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 6А; TO220FP

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 10А; Idm: 22А; 29,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 10А; Idm: 22А; 29,5Вт

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
ITO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 110А; Idm: 440А; 104,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 110А; Idm: 440А; 104,2Вт

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; Idm: 352А; 178,6Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; Idm: 352А; 178,6Вт

86,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO220-3