Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 650В; 20А; 151Вт; TO247

Немає в наявності
Код товару: GC20N65QD
181,83 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GC20N65QD
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 39нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 650В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 151Вт
Струм стока: 20А
Технологія: SJ-MOSFET
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 31; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 31; SMT; straight

102,64 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
9,1мм
Електричний монтаж:
SMT
Резистор: thick film; 68кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 30В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 68кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 30В; -55÷155°C

0,84 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 66,5Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 66,5Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 10; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 10; SMT; straight

28,38 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
9,1мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 8; 16бит; 65Мsps; 1,7÷3,6В; VQFN64; ±1LSB
IC: перетворювач А/D; Ch: 8; 16бит; 65Мsps; 1,7÷3,6В; VQFN64; ±1LSB

4203,63 грн

Max DNL:
±1LSB
Вид входу:
differential
Властивості інтегральних мікросхем:
delta-sigma
Інтерфейс:
LVDS; serial
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 105Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В; L: 5,8мм
Резистор: вуглецевий; 105Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В; L: 5,8мм

12,42 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Резистор: thin film; 54,9кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3ARB
Резистор: thin film; 54,9кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3ARB

11,78 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 50А; Idm: 295А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 50А; Idm: 295А

813,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 26А; Idm: 90А; 34Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 26А; Idm: 90А; 34Вт

274,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
58нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 125Вт

126,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 6А; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 6А; TO220FP

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 10А; Idm: 22А; 29,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 10А; Idm: 22А; 29,5Вт

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
ITO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 110А; Idm: 440А; 104,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 110А; Idm: 440А; 104,2Вт

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; Idm: 352А; 178,6Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; Idm: 352А; 178,6Вт

86,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO220-3