1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 40В; 120А; 300Вт

Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 40В; 120А; 300Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STP100NF04
150,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STP100NF04
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 4,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 120А
Технологія: STripFET™ II
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 21,5Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 21,5Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Контактор: 8-полюсний; NO x8; 24÷60ВAC,20÷60ВDC; 3А; NF; W: 45мм
Контактор: 8-полюсний; NO x8; 24÷60ВAC,20÷60ВDC; 3А; NF; W: 45мм

2965,03 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Висота:
86мм
Конфігурація контактів:
NO x8
Монтаж:
на панель; на шину DIN
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 100В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 100В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201

0,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
1пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 10пФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; THT; 5мм
Конденсатор: керамічний; 10пФ; 250В; C0G (NP0); ±5%; THT; 5мм

6,21 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
10пФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 642Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 642Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 62пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 62пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

0,34 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 28ВDC,32ВDC; SPST-NO DM; 8,4Ом
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 28ВDC,32ВDC; SPST-NO DM; 8,4Ом

12834,53 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Зовнішні розміри:
90x55,5мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO DM
Макс. струм контактів:
200А
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 29А; Idm: 173А; 1135Вт; TO264

1021,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
305нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 26А; Idm: 90А; 200Вт

508,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 10А; Idm: 40А

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 66А; Idm: 264А; 51Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
115нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 43А; Idm: 160А; 438Вт

1562,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
182нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт

221,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
TO220AB