Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 60В; 26А; 80Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STP45NF06
88,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STP45NF06
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 28мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 80Вт
Струм стока: 26А
Технологія: STripFET™ II
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 2010; 0,5Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 680Ом; SMD; 2010; 0,5Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C

5,64 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Діод: випрямний Шотткі; THT; 150В; 10Аx2; ITO220AB; Ufmax: 0,9В
Діод: випрямний Шотткі; THT; 150В; 10Аx2; ITO220AB; Ufmax: 0,9В

76,66 грн

Вид упаковки:
туба
Ємність:
0,4нФ
Зворотна напруга макс.:
150В
Корпус:
ITO220AB
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 16А; Полюси: 1
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 16А; Полюси: 1

807,78 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
25кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Кількість полюсів:
1
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Резистор: thick film; 4,3Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,3Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,09 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 630В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 630В; C0G (NP0); ±2%; SMD

5,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Connector: USB AB micro; socket; data transfer; MUSB; THT; PIN: 5
Connector: USB AB micro; socket; data transfer; MUSB; THT; PIN: 5

499,24 грн

Connector family:
data transfer
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP67
Резистор: thin film; 20кОм; SMD; 0805; 130мВт; ±0,1%; RT; -55÷125°C
Резистор: thin film; 20кОм; SMD; 0805; 130мВт; ±0,1%; RT; -55÷125°C

3,16 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 18А
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 18А

131,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
29нКл
Напруга сток-джерело:
650В
Струм стока:
18А
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; 71Вт; PG-TO262-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 43А; 71Вт; PG-TO262-3

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO262-3
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 36А; TO247
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; 36А; TO247

533,45 грн

Корпус:
TO247
Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Опір в стані провідності:
78мОм
Струм стока:
36А
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; TO247-4; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; TO247-4; автомобільна галузь

620,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
TO247-4
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 64А; 300Вт; PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 64А; 300Вт; PG-TO220-3

360,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 650В; 25А; 42Вт; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 650В; 25А; 42Вт; TO220F

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
TO220F
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 150В; 140А; 258Вт; TO220
Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 150В; 140А; 258Вт; TO220

177,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
89нКл
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT