Транзистор: N-MOSFET; Trench; 150В; 102А; 455Вт; D2PAK,TO263AB

Немає в наявності
Код товару: IXTA102N15T
142,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXTA102N15T
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 87нКл
Корпус: D2PAK; TO263AB
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 18мОм
Потужність розсіювання: 455Вт
Струм стока: 102А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 97нс
Недоступний
IC: цифровий; NOT; Ch: 6; IN: 1; SMD; SO14; 2÷6ВDC; -40÷85°C; AC
IC: цифровий; NOT; Ch: 6; IN: 1; SMD; SO14; 2÷6ВDC; -40÷85°C; AC

8,17 грн

Вид входу:
з тригером Шмітта
Вид затвору:
NOT
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
hex; 6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,1А; 0,46Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,1А; 0,46Вт; SOT23

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; THT; 3A; 250V

58,92 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC

1213,26 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0,2А
Вхідна напруга:
36...75В DC
Діод: TVS збірка; 6В; 350Вт; односпрямована; ESD; SOT23; Ch: 2
Діод: TVS збірка; 6В; 350Вт; односпрямована; ESD; SOT23; Ch: 2

25,34 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
0,15нФ
Зворотна напруга макс.:
5В
Кількість каналів:
2
Недоступний
Кабель; High Speed,USB 2.0; USB C гніздо,USB C вилка; 1м; чорний
Кабель; High Speed,USB 2.0; USB C гніздо,USB C вилка; 1м; чорний

183,10 грн

Довжина кабелю:
1м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Колір ізоляції:
чорний
Конструкція кабелю/переходу:
USB C вилка; USB C гніздо
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 100В; 2А; 25нс; DO220AA,SMP; Ufmax: 980мВ
Діод: випрямний; SMD; 100В; 2А; 25нс; DO220AA,SMP; Ufmax: 980мВ

9,50 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,1кВ
Корпус:
DO220AA; SMP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт

287,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252