Транзистор: N-MOSFET; Trench; 250В; 50А; 400Вт; D2PAK,TO263; 166нс

Немає в наявності
Код товару: IXTA50N25T-TRL
167,89 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: IXTA50N25T-TRL
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 78нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 30В
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 60мОм
Потужність розсіювання: 400Вт
Струм стока: 50А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 166нс
Недоступний
Резистор: thin film; 14кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 14кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

5,89 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
EMobility: кабель; 5x25мм2,7x0,75мм2; 1кВDC; 700кВт; IP54; 6м; 700А
EMobility: кабель; 5x25мм2,7x0,75мм2; 1кВDC; 700кВт; IP54; 6м; 700А

203716,04 грн

Використання:
зарядка електромобілів
Відповідність стандарту:
IEC 62196-3-1; IEC 62893; UL 62
Властивості з’єднувального кабелю:
Boost-Mode
Довжина кабелю:
6м
Недоступний
Резистор: metal film; 33кОм; 1Вт; ±1%; HOLCO; 100ppm/°C; аудио
Резистор: metal film; 33кОм; 1Вт; ±1%; HOLCO; 100ppm/°C; аудио

24,84 грн

Використання:
аудио
Властивості резисторів:
низька індуктивність; низький шум
Допуск:
±1%
Опір:
33кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 2,7Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,7Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±5%; -55÷155°C

0,04 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 4,6÷36ВDC; Uвих: 1,5ВDC; Iвих: 2А; SIP3
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 4,6÷36ВDC; Uвих: 1,5ВDC; Iвих: 2А; SIP3

503,04 грн

Вихідна напруга:
1,5В DC
Вихідний струм:
2А
Вхідна напруга:
4,6...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0201

0,27 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 5ВDC; Uвих.2: -5ВDC

243,28 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідна напруга 2:
-5В DC
Вихідний струм:
0,1А
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18,2нКл
Корпус:
WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC75
Модель:
ESD