Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 140А; 236Вт; TO220

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: G080N10T
91,87 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G080N10T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 192нКл
Корпус: TO220
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 236Вт
Струм стока: 140А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 1,47кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; TFR
Резистор: thin film; 1,47кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; TFR

61,45 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thin film; 203Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 203Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; ERJ1GNF; 25В
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; ERJ1GNF; 25В

0,34 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0201
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,6пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,6пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,6пФ
Недоступний
Резистор: thin film; 1,4кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 1,4кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 3,57кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; 150В
Резистор: thick film; 3,57кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; 150В

2,22 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 22; THT; 3A; 150V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 22; THT; 3A; 150V

622,78 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
7мм
Довжина відводів:
14,9мм
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 50А; Idm: 295А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 50А; Idm: 295А

813,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 26А; Idm: 90А; 34Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 26А; Idm: 90А; 34Вт

274,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
58нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; польовий; 1,5кВ; 3А; Idm: 12А; 125Вт

126,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 6А; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 6А; TO220FP

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 10А; Idm: 22А; 29,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 10А; Idm: 22А; 29,5Вт

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
ITO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 110А; Idm: 440А; 104,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 65В; 110А; Idm: 440А; 104,2Вт

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; Idm: 352А; 178,6Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 88А; Idm: 352А; 178,6Вт

86,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO220-3