Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 2А; 1,3Вт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: G1002
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G1002
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 22нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,3Вт
Струм стока: 2А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 1,5ВDC; DPDT; Iконтактів max: 1А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 1,5ВDC; DPDT; Iконтактів max: 1А

145,08 грн

Зовнішні розміри:
15x7,4x8,2мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
1А
Матеріал контакту:
Ag/Au
Недоступний
Резистор: thick film; 332Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 332Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,09 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
5000шт.
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 1206; 0,125Вт; ±1%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 1206; 0,125Вт; ±1%; CQ; 200В

1,20 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thin film; 55,6кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 55,6кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: поліестровий; 1нФ; 160ВAC; 250ВDC; 5мм; ±10%; THT
Конденсатор: поліестровий; 1нФ; 160ВAC; 250ВDC; 5мм; ±10%; THT

3,55 грн

Висота:
6,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Довжина:
7,3мм
Допуск:
±10%
Недоступний
Мікроперемикач SNAP ACTION; 10A/250ВAC; 0,6A/125ВDC; SPDT; Поз: 2
Мікроперемикач SNAP ACTION; 10A/250ВAC; 0,6A/125ВDC; SPDT; Поз: 2

99,47 грн

Виводи:
до лютування
Властивості перемикачів:
з важелем (з роликом)
Довжина важеля:
25,9мм
Електрична стійкість:
300000 цикли
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,7пФ; 100В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,7пФ; 100В; X8G; ±0,05пФ; SMD; 01005

0,96 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
7,7пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12,2А; Idm: 50А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12,2А; Idm: 50А

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD

226,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK

152,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8

157,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
SO8