Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 35А; 80Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: 18N10
47,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 18N10
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 26нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 80Вт
Струм стока: 35А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,33нФ
Недоступний
Резистор: power metal; 65мОм; вимірювальний; SMD; 2512; 1Вт; ±5%
Резистор: power metal; 65мОм; вимірювальний; SMD; 2512; 1Вт; ±5%

5,70 грн

Вид резистора:
вимірювальний
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 2,3÷5,5ВDC; Uвих: 5ВDC; 0,45А; WSON6
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 2,3÷5,5ВDC; Uвих: 5ВDC; 0,45А; WSON6

77,29 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
для додатків зі LED
Вихідна напруга:
5В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 44,2Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 44,2Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,01%

34,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 232Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 232Ом; SMD; 0612; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,74 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0612
Корпус - мм:
1632
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 470мкФ; 10ВDC; Ø8x11,5мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 470мкФ; 10ВDC; Ø8x11,5мм; ±20%

17,80 грн

Висота:
11,5мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 2,2мкФ; 50ВDC; Ø5x11мм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 2,2мкФ; 50ВDC; Ø5x11мм

19,01 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
11мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
5мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18,2нКл
Корпус:
WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC75
Модель:
ESD