1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 3А; 1,5Вт; SOT23; ESD

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 3А; 1,5Вт; SOT23; ESD
Немає в наявності
Код товару: G1003A
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G1003A
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 17нКл
Корпус: SOT23
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,5Вт
Струм стока: 3А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Розподільник потенціалу; 125x6,1x96,5мм; -25÷70°C; IP20; 12А
Розподільник потенціалу; 125x6,1x96,5мм; -25÷70°C; IP20; 12А

152,69 грн

Виводи:
клемми push-in
Зовнішні розміри:
125x6,1x96,5мм
Клас герметичності:
IP20
Монтаж:
на шину DIN
Connector: card edge; data; PIN: 168; soldering
Connector: card edge; data; PIN: 168; soldering

371,90 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
168
Покриття контакту:
позолочений
Недоступний
Дистнацююча втулка; діоди LED,LED; Øзовн: 6,5мм; ØLED: 5мм; чорний
Дистнацююча втулка; діоди LED,LED; Øзовн: 6,5мм; ØLED: 5мм; чорний

6,97 грн

Type of optoelectronics accessories:
дистнацююча втулка
Вид коробки:
T1 3/4
Використання:
LED; діоди LED
Діаметр діода ДУВ:
5мм
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 21,5А; Idm: 50А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 21,5А; Idm: 50А

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
SO8
Недоступний
Резистор: thin film; 19,6кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 19,6кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

48,15 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Резистор: thick film; 86,6кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RK73H; 200В
Резистор: thick film; 86,6кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RK73H; 200В

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Багатоотвірна; PG9; IP65; поліамід; чорний; К-ть отв: 2; 3мм
Багатоотвірна; PG9; IP65; поліамід; чорний; К-ть отв: 2; 3мм

75,39 грн

Type of cable gland:
cable
Версія введення:
багатоотвірна
Вживання кабельних аксесуарів:
під круглий провід
Вид різьблення:
PG
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12А; Idm: 50А; 12Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
21,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SC70
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 150В; 32А; Idm: 96А; 100Вт

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
FG (TO263AB)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

775,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
SMT Top Side Cooling; виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD