Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 21,5А; Idm: 50А

Немає в наявності
Код товару: SI4392ADY-T1-E3
69,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: SI4392ADY-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 38нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 11,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 6,25Вт
Струм стока: 21,5А
Струм стоку в імпульсі: 50А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 19,6кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 19,6кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

48,15 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Резистор: thick film; 86,6кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RK73H; 200В
Резистор: thick film; 86,6кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; RK73H; 200В

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Багатоотвірна; PG9; IP65; поліамід; чорний; К-ть отв: 2; 3мм
Багатоотвірна; PG9; IP65; поліамід; чорний; К-ть отв: 2; 3мм

75,39 грн

Type of cable gland:
cable
Версія введення:
багатоотвірна
Вживання кабельних аксесуарів:
під круглий провід
Вид різьблення:
PG
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; роз'єм живлення; CH; 8А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; роз'єм живлення; CH; 8А

150,79 грн

Alias:
CH 3.81/10/90F 3.5SN GN BX
Connector family:
роз'єм живлення
Колір корпусу:
зелений
Номінальна напруга:
0,32кВ
Датчик: фотоелектричний; Шир.прорізи: 3,18мм; THT; -40÷70°C; PIN: 5
Датчик: фотоелектричний; Шир.прорізи: 3,18мм; THT; -40÷70°C; PIN: 5

249,62 грн

Кількість пін:
5
Механічний монтаж:
THT
Монтаж:
THT
Робоча температура:
-40...70°C
Провід; LiYCY; UNITRONIC® LiYCY; 36x0,34мм2; ПВХ; сірий; 500В; 100м
Провід; LiYCY; UNITRONIC® LiYCY; 36x0,34мм2; ПВХ; сірий; 500В; 100м

605,68 грн

Bластивості проводів:
низькомісткісний
Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Недоступний
Резистор: thick film; 100кОм; високої потужності; SMD; 2512; 2Вт
Резистор: thick film; 100кОм; високої потужності; SMD; 2512; 2Вт

6,34 грн

Вид резистора:
високої потужності
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,1нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 14А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 14А; Idm: 100А

112,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 46А; Idm: 163А; 206Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 46А; Idm: 163А; 206Вт

609,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
99нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 40В; 60А; Idm: 240А; 62,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 40В; 60А; Idm: 240А; 62,5Вт

35,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
57нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 70А; Idm: 210А; 123Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 70А; Idm: 210А; 123Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
38нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD