Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 12А; 2,6Вт; SOP8

Немає в наявності
Код товару: G35N02S
48,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G35N02S
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 18нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,6Вт
Струм стока: 12А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: metal film; 383Ом; 250мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: metal film; 383Ом; 250мВт; ±0,1%; -55÷155°C

22,93 грн

Допуск:
±0,1%
Опір:
383Ом
Потужність:
0,25Вт
Робоча температура:
-55...155°C
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 24; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 24; SMT; straight

75,39 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
12,5мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 500А; Iвих: 5А; на шині струму
Трансформатор: струмовий; Iвх: 500А; Iвих: 5А; на шині струму

4773,19 грн

Вихідний струм:
5А
Властивості вимірювальних аксесуарів:
ядро з застібкою
Вхідний струм:
500А
Клас точності:
1 @max 5ВА
Test probe: ICT/FCT; 4A; Ø: 1mm; GKS-075; CuBe; 1N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 4A; Ø: 1mm; GKS-075; CuBe; 1N; push-in; 20mΩ

186,26 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1мм
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 620Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C

0,56 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Монтаж:
SMD
Резистор: thin film; 56,2кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thin film; 56,2кОм; SMD; MiniMELF; 0204; 250мВт; ±1%; 200В

2,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
1,4мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 5,1А; Idm: 32А; 125Вт

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 1,57А; 70Вт; DPAK; ESD

115,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD