1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 35А; 40Вт; TO252

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 35А; 40Вт; TO252
Немає в наявності
Код товару: G35N02K
43,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G35N02K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 24нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 40Вт
Струм стока: 35А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 45,3Ом; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В
Резистор: thick film; 45,3Ом; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В

29,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4527
Корпус - мм:
1267
Недоступний
Кернер; Ø: 10мм; хром-ванадієва сталь; Дов.інструмента: 150мм
Кернер; Ø: 10мм; хром-ванадієва сталь; Дов.інструмента: 150мм

376,33 грн

Діаметр стержня:
10мм
Довжина інструмента:
150мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Тип інструмента:
кернер
Недоступний
Резистор: thin film; 11Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; RN73H; 75В
Резистор: thin film; 11Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; RN73H; 75В

3,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402

3,80 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Перехідник різьблення для обтисків; PG16; PG21; латунь; нікель
Перехідник різьблення для обтисків; PG16; PG21; латунь; нікель

86,16 грн

Внутрішня різьба:
PG16
Зовнішня різьба:
PG21
Матеріал корпусу:
латунь
Матеріал покриття:
нікель
Недоступний
Резистор: thick film; 3,48Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,48Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,87 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 230ВAC; DPDT; Iконтактів max: 8А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 230ВAC; DPDT; Iконтактів max: 8А

243,28 грн

Виводи:
для друку; до лютування
Зовнішні розміри:
29x12,7x15,7мм
Кількість пін:
8
Кількість режмів роботи:
1
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,4А; Idm: 10А; 1,25Вт; SOT23

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 39А; 33Вт; DFN3.3x3.3 EP

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21,3нКл
Корпус:
DFN3.3x3.3 EP
Монтаж:
SMD