Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 6А; 1Вт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: G6N02L
41,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G6N02L
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 12,5нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 20В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Струм стока: 6А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 2,2Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±5%; 500В; L: 5,8мм
Резистор: вуглецевий; 2,2Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±5%; 500В; L: 5,8мм

6,40 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Connector: wire-board; socket; male; data; ZH; 1A; 50V; PIN: 5; 1.5mm
Connector: wire-board; socket; male; data; ZH; 1A; 50V; PIN: 5; 1.5mm

15,90 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
5
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,2пФ
Резистор: thick film; 6,2кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 6,2кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Діод: TVS; 37,1В; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -65÷150°C
Діод: TVS; 37,1В; двоспрямована; 1,5кВт; Ch: 1; -65÷150°C

435,88 грн

Зворотна напруга макс.:
33,3В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
37,1В
Недоступний
Резистор: thick film; 412Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 412Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Діод: TVS збірка; 6В; двоспрямована; ESD; SOT23-6; Ch: 2
Діод: TVS збірка; 6В; двоспрямована; ESD; SOT23-6; Ch: 2

25,34 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
Ethernet; USB; автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
5В
Кількість каналів:
2
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18,2нКл
Корпус:
WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC75
Модель:
ESD