Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 13А; 2,23Вт; SOP8

Немає в наявності
Код товару: G10N03S
44,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G10N03S
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 17нКл
Корпус: SOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,23Вт
Струм стока: 13А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 2А; SIP3
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 2А; SIP3

202,10 грн

Використання:
промисловість
Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
2А
Відповідність стандарту:
CE
Недоступний
Резистор: thick film; 294Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF
Резистор: thick film; 294Ом; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF

1,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,5пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,5пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,5пФ
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 22В; 19,9А; двоспрямована; ±5%; DO214AA; TPSMB
Діод: TVS; 600Вт; 22В; 19,9А; двоспрямована; ±5%; DO214AA; TPSMB

18,37 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
18,8В
Недоступний
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 70В; SMD4
Оптрон; SMD; Ch: 1; OUT: транзисторний; Uізол: 5кВ; Uce: 70В; SMD4

22,17 грн

CTR@If:
100-200%@10mA
Вид виходу:
транзисторний
Відповідність стандарту:
UL; VDE
Зворотна напруга макс.:
6В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,29 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,6пФ
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 50; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 50; SMT; straight

166,62 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
9,1мм
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18,2нКл
Корпус:
WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC75
Модель:
ESD