Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 560мА; Idm: 3,6А; ESD

Немає в наявності
Код товару: PMZ370UNEYL
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 10000
Крок додавання: 10000
Код товару: PMZ370UNEYL
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 1,16нКл
Корпус: DFN1006-3; SOT883
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 860мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: 0,56А
Струм стоку в імпульсі: 3,6А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Провід; Alpha Essential C&C; 15x2x24AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В
Провід; Alpha Essential C&C; 15x2x24AWG; ПВХ; темно-сірий; 300В

79492,62 грн

Bластивості проводів:
жили скручені попарно
Будова екрану:
екранований; плівка AL-PET
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Ланцюгова напрямна; MEDIUM; Рад.заг: 100мм; L: 1000мм; чорний
Ланцюгова напрямна; MEDIUM; Рад.заг: 100мм; L: 1000мм; чорний

3338,83 грн

Внутрішня висота:
31мм
Внутрішня ширина:
65мм
Довжина:
1м
Зовнішня висота:
43мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,7пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,7пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

6,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,7пФ
Перехідник різьблення для обтисків; Різьбл: метрична; M12; M20
Перехідник різьблення для обтисків; Різьбл: метрична; M12; M20

875,57 грн

Вид різьблення:
метрична
Внутрішня різьба:
M12
Зовнішня різьба:
M20
Крок різьби:
1,5
Недоступний
Резистор: thin film; 5,49кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 5,49кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,1пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,23 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,1пФ
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SMD; 220мкФ; 16ВDC; Ø6,3x7,7мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; SMD; 220мкФ; 16ВDC; Ø6,3x7,7мм; ±20%

8,62 грн

Висота:
7,7мм
Діаметр:
6,3мм
Допуск:
±20%
Ємність:
220мкФ
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8