1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,245А; Idm: 1,2А; ESD

Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,245А; Idm: 1,2А; ESD
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: 2N7002BKVL
8,87 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 2N7002BKVL
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,6нКл
Корпус: SOT23; TO236AB
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,2Вт
Струм стока: 0,245А
Струм стоку в імпульсі: 1,2А
Технологія: Trench
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 15кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 15кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; -55÷155°C

0,48 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 866Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В
Резистор: thin film; 866Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В

0,58 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: metal film; 18Ом; THT; 3Вт; ±5%; Ø5x15мм; осьові; L: 15мм
Резистор: metal film; 18Ом; THT; 3Вт; ±5%; Ø5x15мм; осьові; L: 15мм

3,99 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
5мм
Довжина:
15мм
Допуск:
±5%
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; ERJU03F
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; ERJU03F

6,97 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Часове реле; 0,1с÷10мин; DPDT; 250ВAC/5А; 24ВDC; H3YN; підставка
Часове реле; 0,1с÷10мин; DPDT; 250ВAC/5А; 24ВDC; H3YN; підставка

3558,04 грн

Вид виходу:
DPDT
Діапазон підраховування:
0,1с...10мин
Електричні параметри виходу 1:
250В AC / 5А
Кількість пін:
8
Конденсатор: поліестровий; 100нФ; 160ВAC; 250ВDC; 7,5мм; ±10%; THT
Конденсатор: поліестровий; 100нФ; 160ВAC; 250ВDC; 7,5мм; ±10%; THT

27,24 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
7,5мм
Недоступний
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±0,5%; ERJH3ED
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±0,5%; ERJH3ED

1,91 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3

72,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,4А; 8Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,4А; 8Вт; DFN3x3 EP

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,12А; 325мВт; SOT23,TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,12А; 325мВт; SOT23,TO236AB

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 1,1А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 1,1А; 1,6Вт; SuperSOT-6

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SuperSOT-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; 54Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 35А; 54Вт; DPAK

118,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,7А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,7А; 0,5Вт; SuperSOT-3

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
7нКл