Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 1,9Вт

Немає в наявності
Код товару: SIB4316EDK-T1-GE3
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIB4316EDK-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 7,5нКл
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 57мОм
Потужність розсіювання: 1,9Вт
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,6А; Idm: -2А; 0,46Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,6А; Idm: -2А; 0,46Вт

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
X2-DFN1006-3
Монтаж:
SMD
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 4,3нГн; 700мА; R: 0,063Ом; ±2%; LQW
Реактор: дротяний; SMD; 0603; 4,3нГн; 700мА; R: 0,063Ом; ±2%; LQW

5,96 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±2%
Індуктивність:
4,3нГн
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 4,8А; Idm: 19А; 57Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 4,8А; Idm: 19А; 57Вт

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,6нКл
Корпус:
TO252
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 2,7В; SMD; DO213AA; 60мкА
Діод: зенера; 500мВт; 2,7В; SMD; DO213AA; 60мкА

731,12 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
2,7В
Корпус:
DO213AA
Монтаж:
SMD
Кожух видки; 8мм; жовтий; RJ45
Кожух видки; 8мм; жовтий; RJ45

13,11 грн

Застосування роз’ємів:
RJ45
Зовнішній діаметр проводу:
8мм
Колір:
жовтий
Тип аксесуарів для роз’ємів:
кожух видки
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THT; 3A; 250V

22,81 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
23,5мм
Недоступний
Резистор: thin film; 430кОм; THT; 1Вт; ±1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 430кОм; THT; 1Вт; ±1%; Ø3,7x10мм; осьові

31,42 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±1%
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

775,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
SMT Top Side Cooling; виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 4А; Idm: 28А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 4А; Idm: 28А; 1Вт; SOT23

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
13нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
70,8нКл
Корпус:
D2PAK; SOT404
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 245А; 48Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 245А; 48Вт

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,9нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669