Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 120А; Idm: 200А

Немає в наявності
Код товару: SIRS510DPW-T1-RE3
88,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIRS510DPW-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 32нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 3,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 171Вт
Струм стока: 120А
Струм стоку в імпульсі: 200А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 1,3кВ; 1А; 75нс; DO214BA; Ufmax: 3В; Ifsm: 20А
Діод: випрямний; SMD; 1,3кВ; 1А; 75нс; DO214BA; Ufmax: 3В; Ifsm: 20А

44,35 грн

Вид упаковки:
ролик 7 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; ультрашвидке перемикання
Ємність:
8пФ
Зворотна напруга макс.:
1,3кВ
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Iвих: 1333мА; на панель; 55x52,3x19,1мм
Перетворювач: DC/DC; 20Вт; Iвих: 1333мА; на панель; 55x52,3x19,1мм

8542,21 грн

Вихідна напруга:
15В
Вихідний струм:
1,333А
Зовнішні розміри:
55x52,3x19,1мм
Кількість виходів:
1
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; LED; 13Вт; 16÷25ВDC; 500мА; 220÷240ВAC
Блок живлення: імпульсний; LED; 13Вт; 16÷25ВDC; 500мА; 220÷240ВAC

0,00 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
16...25В DC
Вихідний струм:
0,5А
Перетворювач: DC/DC; 100Вт; Uвх: 12÷160ВDC; Uвих: 54ВDC; Iвих: 1,85А
Перетворювач: DC/DC; 100Вт; Uвх: 12÷160ВDC; Uвих: 54ВDC; Iвих: 1,85А

8666,38 грн

Використання:
залізнична галузь
Вихідна напруга:
54В DC
Вихідний струм:
1,85А
Відповідність стандарту:
EN 50155
Недоступний
Комплект дистанційних блоків; 12шт; Підключення: RJ45
Комплект дистанційних блоків; 12шт; Підключення: RJ45

7444,26 грн

Кількість в наборі/упаковці:
12шт.
Підключення:
RJ45
Тип вимірювальних аксесуарів:
комплект дистанційних блоків
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7Ом; SMD; 0603; 330мВт; ±5%; ERJPA3J
Резистор: thick film; 4,7Ом; SMD; 0603; 330мВт; ±5%; ERJPA3J

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 86,6кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В
Резистор: thick film; 86,6кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±1%; 50В

2,84 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD