Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 165А; Idm: 793А

Немає в наявності
Код товару: SQJQ510E-T1_GE3
115,94 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2000
Крок додавання: 2000
Код товару: SQJQ510E-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 86нКл
Корпус: PowerPAK® 8x8L
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 1,86мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 348Вт
Струм стока: 165А
Струм стоку в імпульсі: 793А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Роз’єм: провід-провід; гніздо; гніздовий; Iном: 6А; Uном: 125В; ПВХ
Роз’єм: провід-провід; гніздо; гніздовий; Iном: 6А; Uном: 125В; ПВХ

51,95 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання; компресійний
Кількість пін:
1
Колір:
чорний
Недоступний
Резистор: thick film; 82,5Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D
Резистор: thick film; 82,5Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±0,5%; ERJHP6D

2,98 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Перемикач: кнопковий; 22мм; Фікс.поз: 1; білий; IP65; плоский; 46
Перемикач: кнопковий; 22мм; Фікс.поз: 1; білий; IP65; плоский; 46

320,58 грн

Властивості перемикачів:
без символу
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
1
Клас герметичності:
IP65
Діод: випрямний; THT; 1кВ; 1А; Ifsm: 30А; R1; Ammo Pack; Ufmax: 1,1В
Діод: випрямний; THT; 1кВ; 1А; Ifsm: 30А; R1; Ammo Pack; Ufmax: 1,1В

7,60 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Зворотна напруга макс.:
1кВ
Корпус:
R1
Монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; data; PIN: 30; THT; 3A; vertical; 2.54mm
Connector: pin strips; data; PIN: 30; THT; 3A; vertical; 2.54mm

159,66 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
30
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thick film; 348кОм; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C
Резистор: thick film; 348кОм; 0201; 50мВт; ±5%; CRT; -55÷125°C

0,02 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
348кОм
Недоступний
Резистор: metal film; 100кОм; SMD; 300мВт; ±1%; 150В; Ø1,1x2,2мм
Резистор: metal film; 100кОм; SMD; 300мВт; ±1%; 150В; Ø1,1x2,2мм

2,31 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
Ø1,1x2,2мм
Кількість в наборі/упаковці:
3000шт.
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12,2А; Idm: 50А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12,2А; Idm: 50А

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD

226,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK

152,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8

157,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
SO8