1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 3,8А; Idm: 14А

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 3,8А; Idm: 14А
Немає в наявності
Код товару: SI3474DV-T1-GE3
38,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SI3474DV-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 10,4нКл
Корпус: SC74; TSOP6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 126мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2,33Вт
Струм стока: 3,8А
Струм стоку в імпульсі: 14А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Блок живлення: імпульсний; LED; 50Вт; 24ВDC; 2,08А; 180÷264ВAC
Блок живлення: імпульсний; LED; 50Вт; 24ВDC; 2,08А; 180÷264ВAC

953,50 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
2,08А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9пФ
Транзистор: PNP; біполярний; 50В; 0,1А; 350/1Вт; TO92
Транзистор: PNP; біполярний; 50В; 0,1А; 350/1Вт; TO92

4,94 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруги колектор-емітер:
50В
Недоступний
Запобіжник: полімерний PTC; THT; 2,5А; Iмакс: 40А; MF-RX/72
Запобіжник: полімерний PTC; THT; 2,5А; Iмакс: 40А; MF-RX/72

20,15 грн

Вид упаковки:
котушка
Застосування запобіжників:
стандартні застосування
Максимальна напруга:
72В
Максимальний струм:
40А
Недоступний
Резистор: thick film; 412Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 412Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Індикатор: LED; увігнутий; червоний/зелений; 24ВDC; 24ВAC; Ø13мм
Індикатор: LED; увігнутий; червоний/зелений; 24ВDC; 24ВAC; Ø13мм

184,36 грн

Виводи:
проводи
Вид індикатора:
увігнутий
Властивості індикаторів:
спільний катод
Діаметр діода ДУВ:
10мм
Недоступний
Резистор: thin film; 4,3кОм; THT; 750мВт; ±1%; Ø3,5x9,7мм; осьові
Резистор: thin film; 4,3кОм; THT; 750мВт; ±1%; Ø3,5x9,7мм; осьові

3,22 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,5мм
Довжина:
9,7мм
Допуск:
±1%
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 30В; 3,8Вт; PowerPAK® 1212-8

29,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
24,1нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; Idm: 8А; 42Вт

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4,5А; 3,3Вт; SOT223; ESD

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 50А; 63Вт; VSONP8; 5x6мм

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
VSONP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 3,7А; 2,1Вт; SOT223

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 50А; Idm: 167А; 2,7Вт

70,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,9нКл
Корпус:
VSON-CLIP8