Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 57А; 119Вт

Немає в наявності
Код товару: SQS110ENW-T1_GE3
26,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQS110ENW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 34нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 13,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 119Вт
Струм стока: 57А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 510кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 510кОм; SMD; 1210; 500мВт; ±5%; -55÷155°C

2,60 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1210
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 3; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 3; THT; straight

4,12 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
10,8мм
Електричний монтаж:
THT
Суперконденсатор; THT; 3Ф; 6ВDC; -10÷30%; Растр: 5,3мм; 100мОм
Суперконденсатор; THT; 3Ф; 6ВDC; -10÷30%; Растр: 5,3мм; 100мОм

331,35 грн

Висота:
11мм
Допуск:
-10...30%
Ємність:
3Ф
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 3,01кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,01кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
IC: стабілізатор напруги; лінійний,нерегульований; 12В; 1,5А
IC: стабілізатор напруги; лінійний,нерегульований; 12В; 1,5А

88,70 грн

Вид стабілізатора напруги:
лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
12В
Вихідний струм:
1,5А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,2пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,2пФ
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 2,5А
Перетворювач: DC/DC; 30Вт; Uвх: 36÷75ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 2,5А

4125,07 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
2,5А
Вхідна напруга:
36...75В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; мінімальна напруга UVP; перегрівання OTP; проти короткого замикання OVP; протиперевантажувальні OPP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18,2нКл
Корпус:
WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC75
Модель:
ESD