Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 60А; Idm: 100А

Name: Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 100В; 60А; Idm: 100А
Brand: VISHAY
SKU: SUM60N10-17-E3
Price: 249.62 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SUM60N10-17-E3

249,62 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

SUM60N10-17-E3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

0,1мкКл

Корпус:

D2PAK; TO263

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

100В

Опір в стані провідності:

41мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

150Вт

Струм стока:

60А

Струм стоку в імпульсі:

100А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів

Корпус:
SOT523

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO252-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±16В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
48нКл

Корпус:
D2PAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
36нКл

Корпус:
DPAK

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
16нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
20нКл

Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
7нКл

Корпус:
TO252

Монтаж:
SMD