1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12В; 40А; Idm: 70А; 48Вт

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 12В; 40А; Idm: 70А; 48Вт
Немає в наявності
Код товару: SI7858BDP-T1-GE3
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7858BDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 84нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 12В
Опір в стані провідності: 3,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 48Вт
Струм стока: 40А
Струм стоку в імпульсі: 70А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 19; THT; angled; 1x19
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 19; THT; angled; 1x19

25,22 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
13,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 270Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; NQ; 200В
Резистор: thick film; 270Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±5%; NQ; 200В

1,57 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thin film; 1,24Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В
Резистор: thin film; 1,24Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В

0,79 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Наконечник: вилковий; ізольована; M5; Ø: 5,2мм; червоний; луджений
Наконечник: вилковий; ізольована; M5; Ø: 5,2мм; червоний; луджений

8,11 грн

Версія наконечника:
ізольована
Внутрішній діаметр кільця:
5,2мм
Електричний монтаж:
затискання
Колір:
червоний
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 48ВDC; SPDT; 16А; 16A/250ВAC; LZ
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 48ВDC; SPDT; 16А; 16A/250ВAC; LZ

0,00 грн

Виводи:
для друку
Електрична стійкість:
100000 цикли
Зовнішні розміри:
28,8x12,5x15,7мм
Конфігурація контактів:
SPDT
Недоступний
Резистор: thin film; 44,2кОм; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 44,2кОм; прецизійний; SMD; 0201; 50мВт; ±0,1%

5,58 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Недоступний
Тримач; Розмір гнізда-дюйм: 1/4"; HEX 1/4"; Довж.заг: 75мм
Тримач; Розмір гнізда-дюйм: 1/4"; HEX 1/4"; Довж.заг: 75мм

606,94 грн

Вид рукоятки:
F6,3mm; універсальний
Використання інструментів:
Насадки до викруток
Загальна довжина:
75мм
Матеріал:
нержавіюча сталь
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12,2А; Idm: 50А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12,2А; Idm: 50А

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD

226,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK

152,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8

157,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
SO8