Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 38,4А; Idm: 150А

Немає в наявності
Код товару: SIR574DP-T1-BE3
43,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR574DP-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 23,6нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 13,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 78Вт
Струм стока: 38,4А
Струм стоку в імпульсі: 150А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: керамічний; 2,4пФ; 25ВDC; C0G (NP0); SMD; 0201; 0,33мм
Конденсатор: керамічний; 2,4пФ; 25ВDC; C0G (NP0); SMD; 0201; 0,33мм

2,88 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,4пФ
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Недоступний
Резистор: thin film; 123Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 123Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,1%; MCT0603; 0

1,51 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Модуль: лазерний; 17мВт; червоний; пункт; 635нм; 4,5÷6ВDC; 30÷150мА
Модуль: лазерний; 17мВт; червоний; пункт; 635нм; 4,5÷6ВDC; 30÷150мА

13150,68 грн

Важлива інформація:
Увага! Лазерне випромінювання! Дотримуйтесь правил безпеки. Не дивитися прямо в джерело лазерного світла.
Використання:
бар'єри; візуальні ефекти; показники; системи сигналізації
Властивості оптоелектронних модулів:
можливість колімації пучка
Довжина відводів:
2м
Мікроперемикач SNAP ACTION; 10A/400ВAC; з важелем; SPDT; Поз: 2
Мікроперемикач SNAP ACTION; 10A/400ВAC; з важелем; SPDT; Поз: 2

345,29 грн

Виводи:
до лютування
Властивості перемикачів:
з важелем
Довжина важеля:
35,7мм
Кількість всіх позицій:
2
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RK73H-RT; 75В
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; RK73H-RT; 75В

1,08 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 12А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 12А

143,18 грн

Alias:
SL-SMT 3.50/12/90G 1.5SN BK BX
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
9мм
Перетворювач: AC/DC; 10Вт; Uвх: 80÷305ВAC,113÷430ВDC; Uвих: 12ВDC
Перетворювач: AC/DC; 10Вт; Uвх: 80÷305ВAC,113÷430ВDC; Uвих: 12ВDC

1779,02 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
0,84А
Вхідна напруга:
80...305В AC; 113...430В DC
Захист:
від короткого замикання SCP; проти короткого замикання OVP; протиперевантажувальні OPP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12,2А; Idm: 50А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12,2А; Idm: 50А

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD

226,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK

152,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8

157,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
SO8