Name: Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 56,1А; Idm: 200А
Brand: VISHAY
SKU: SIR578DP-T1-BE3
Price: 63.99 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 56,1А; Idm: 200А

Немає в наявності

Код товару: SIR578DP-T1-BE3

63,99 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 6000

Крок додавання: 3000

Код товару:

SIR578DP-T1-BE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

24,5нКл

Корпус:

PowerPAK® SO8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

150В

Опір в стані провідності:

8,8мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

104Вт

Струм стока:

56,1А

Струм стоку в імпульсі:

200А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Недоступний

Бажані

Світловий бар'єр безпеки; H: 800мм; 50м; IP67; AX LR WTH; 24ВDC

0,00 грн

Висота:
800мм

Властивості датчиків:
контроль доступу

Дальність:
50м

Клас герметичності:
IP67

Недоступний

Бажані

Резистор: thick film; 470кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; ERJ8ENF

0,82 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Допуск:
±1%

Корпус - дюйм:
1206

Корпус - мм:
3216

Недоступний

Бажані

Резистор: thick film; 1,5кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±5%; NS; 200В

0,84 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Допуск:
±5%

Імпульсна макс. напруга:
400В

Корпус - дюйм:
1206

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 53А; 30Вт; PG-TDSON-8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TDSON-8

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; 167Вт; PG-TO252-3

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO252-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 214Вт; PG-TO263-3

169,79 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO263-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,7А; 83Вт; PG-TO252-3

72,23 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-TO252-3

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 9,4А; 8Вт; DFN3x3 EP

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
4,3нКл

Корпус:
DFN3x3 EP

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,12А; 325мВт; SOT23,TO236AB

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Корпус:
SOT23; TO236AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 500В; 3А; 70Вт; TO252; 400нс

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
9,3нКл

Корпус:
TO252