Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 150В; 61,9А; Idm: 200А

Немає в наявності
Код товару: SIR570DP-T1-BE3
70,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIR570DP-T1-BE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 35,1нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 7,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 104Вт
Струм стока: 61,9А
Струм стоку в імпульсі: 200А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 1,37Ом; SMD; 0603; 250мВт; ±1%; ERJH3QF
Резистор: thick film; 1,37Ом; SMD; 0603; 250мВт; ±1%; ERJH3QF

3,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,9пФ; 50В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,9пФ; 50В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0402

0,93 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
6,9пФ
Недоступний
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,027мкФ; 250ВDC; 10,3x4,4x12,5мм
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,027мкФ; 250ВDC; 10,3x4,4x12,5мм

4,56 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
27нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
7,5мм
Недоступний
Роз’єм: затискна планка на плату; роз'єм живлення; OMNIMATE; 51А
Роз’єм: затискна планка на плату; роз'єм живлення; OMNIMATE; 51А

548,66 грн

Alias:
LUP 10.16/04/90V 5.0SN BK BX
Connector family:
роз'єм живлення
Висота:
36,5мм
Електричний монтаж:
THT; гвинтовий затиск
Кабель; Jack 3,5мм 3pin вилка,Jack 3,5мм 3pin вилка кутова; 3м
Кабель; Jack 3,5мм 3pin вилка,Jack 3,5мм 3pin вилка кутова; 3м

196,40 грн

Довжина кабелю:
3м
Колір ізоляції:
чорний
Конструкція кабелю/переходу:
Jack 3,5мм 3pin вилка; Jack 3,5мм 3pin вилка кутова
Модель:
stereo
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 32; THT; 3A; 150V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 32; THT; 3A; 150V

1025,09 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
11,05мм
Довжина відводів:
3,05мм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 15,6Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 1,3А
Перетворювач: DC/DC; 15,6Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 1,3А

1621,90 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
1,3А
Вхідна напруга:
9...36В DC
Захист:
протиперевантажувальні OPP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 21А; 31Вт; PG-TO252-3

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12,2А; Idm: 50А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 12,2А; Idm: 50А

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 100А; 310Вт; D2PAK; ESD

226,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 29А; 135Вт; D2PAK

152,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; 115Вт; DPAK

127,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
29нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 10А; 2,5Вт; SO8

157,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
SO8