Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 200В; 2,6А; Idm: 2А

Немає в наявності
Код товару: SIA456DJ-T1-GE3
53,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SIA456DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 14,5нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±16В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 1,38Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 12Вт
Струм стока: 2,6А
Струм стоку в імпульсі: 2А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4,5÷36ВDC; Uвих: 1÷28ВDC; 1А; HSOP8
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 4,5÷36ВDC; Uвих: 1÷28ВDC; 1А; HSOP8

210,97 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
1...28В DC
Вихідний струм:
1А
Недоступний
Перемикач: кнопковий; 22мм; Фікс.поз: 2; NC; зелений; LED; IP66
Перемикач: кнопковий; 22мм; Фікс.поз: 2; NC; зелений; LED; IP66

786,24 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Властивості перемикачів:
із захисною кришкою
Кількість всіх позицій:
2
Кількість фіксованих позицій:
2
Недоступний
Плата: універсальна; одностороння,прототипна; W: 100мм; L: 160мм
Плата: універсальна; одностороння,прототипна; W: 100мм; L: 160мм

329,45 грн

Діаметр отвору:
1мм
Довжина:
160мм
Матеріал:
FR4; епоксидна смола; скловолокно
Модель плати:
одностороння; прототипна
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 3А; Idm: 20А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 3А; Idm: 20А; 2,5Вт; SO8

154,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
SO8
Недоступний
Конденсатор: танталовий; low ESR; 47мкФ; 20ВDC; SMD; E; 2917; ±10%
Конденсатор: танталовий; low ESR; 47мкФ; 20ВDC; SMD; E; 2917; ±10%

50,68 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Допуск:
±10%
Ємність:
47мкФ
Корпус:
E
Недоступний
Кінцевий датчик; NO + NC; 5А; макс.250ВAC; макс.250ВDC; IP67
Кінцевий датчик; NO + NC; 5А; макс.250ВAC; макс.250ВDC; IP67

7646,36 грн

Властивості перемикачів:
контакти миттєвої дії
Кількість монтажних отворів:
2
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
NO + NC
Роз’єм: круглі; гніздо; PIN: 8; штекерний; промислова; X-Lok; прямий
Роз’єм: круглі; гніздо; PIN: 8; штекерний; промислова; X-Lok; прямий

497,34 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
5,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD