Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20В; 7,8А; 13,6Вт

Немає в наявності
Код товару: SQA410CEJW-T1_GE3
7,41 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQA410CEJW-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 5,1нКл
Корпус: PowerPAK® SC70
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 45,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 13,6Вт
Струм стока: 7,8А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 10Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 10Ом; 1206; 250мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
10Ом
Роз’єм: провід-провід; гніздовий; стандартна; PIN: 2; прямий; 5мм
Роз’єм: провід-провід; гніздовий; стандартна; PIN: 2; прямий; 5мм

11,53 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
2
Клас горючості:
UL94V-2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0201

1,86 грн

Alias:
KGM03AR50J474KH
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Недоступний
Резистор: thick film; 10,2кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 10,2кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0603

0,35 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; Y2; 10нФ; 300В; THT; ±10%; 15мм
Конденсатор: поліпропиленовий; Y2; 10нФ; 300В; THT; ±10%; 15мм

3,61 грн

Вид конденсатора:
Y2
Допуск:
±10%
Ємність:
10нФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0402

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Ємність:
0,1мкФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18,2нКл
Корпус:
WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC75
Модель:
ESD