1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 240А

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 240А
Немає в наявності
Код товару: SIRA06DDP-T1-UE3
18,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIRA06DDP-T1-UE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 14,4нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -16...20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 2,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 59Вт
Струм стока: 100А
Струм стоку в імпульсі: 240А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: поліпропиленовий; 100мкФ; 450ВDC; 57,5x35x50мм; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; 100мкФ; 450ВDC; 57,5x35x50мм; THT

920,55 грн

Виводи:
радіальні
Висота:
50мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 100В; X8R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 100В; X8R; ±10%; SMD; 0603

2,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15пФ; 100В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 1206

8,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Контакт; штекерний; промислова; сплав міді; посріблений; 5А; PIN: 2
Контакт; штекерний; промислова; сплав міді; посріблений; 5А; PIN: 2

337,05 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
2
Недоступний
Резистор: thin film; 10кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В
Резистор: thin film; 10кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В

1,13 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 1,4кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,4кОм; 0603; 100мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
1,4кОм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 0603

0,30 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±25В
Напруга сток-джерело:
600В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
66нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18,2нКл
Корпус:
WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC75
Модель:
ESD