Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 240А

Немає в наявності
Код товару: SIRA06DDP-T1-UE3
18,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIRA06DDP-T1-UE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 14,4нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -16...20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 2,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 59Вт
Струм стока: 100А
Струм стоку в імпульсі: 240А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Tap: metric; M3; right hand thread; 0.5; L: 56mm; 2.7mm; VAP
Tap: metric; M3; right hand thread; 0.5; L: 56mm; 2.7mm; VAP

572,73 грн

Type of tap:
метрична
Вид різьблення:
права
Вид рукоятки:
квадрат; машина
Використання інструментів:
для некрізних отворів
Недоступний
Резистор: thin film; 18кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±0,5%; ARG; 150В
Резистор: thin film; 18кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±0,5%; ARG; 150В

0,29 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
IC: мікроконтролер PIC; 14кБ; 32МГц; 1,8÷5,5ВDC; SMD; SSOP20; PIC16
IC: мікроконтролер PIC; 14кБ; 32МГц; 1,8÷5,5ВDC; SMD; SSOP20; PIC16

42,45 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CCP; CLC; CWG; DIA; FVR; NCO; PoR; PPS; SAF; watchdog; ZCD
Інтерфейс:
EUSART; GPIO; I2C; LIN; RS232 / RS485; SMBus; SPI
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 149,76Вт; Uвх: 48ВDC; Uвих: 48ВDC; Iвх: 100мА
Перетворювач: DC/DC; 149,76Вт; Uвх: 48ВDC; Uвих: 48ВDC; Iвх: 100мА

6729,61 грн

Використання:
промисловість
Вихідна напруга:
48В DC
Вихідний струм:
3,12А
Вхідна напруга:
48В DC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 63А; 100Вт; TO252

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 78Вт; DFN5x6

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 2,7А; 48Вт; DPAK

100,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,38А; 0,42Вт; SOT23

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 77А; 312Вт; D2PAK; ESD

205,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 22А; 250Вт; D2PAK; ESD

268,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8,5А; 30Вт; DPAK; ESD

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD