Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 240А

Немає в наявності
Код товару: SIRA06DDP-T1-UE3
18,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 6000
Крок додавання: 3000
Код товару: SIRA06DDP-T1-UE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 14,4нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -16...20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 2,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 59Вт
Струм стока: 100А
Струм стоку в імпульсі: 240А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 15Ом; 1210; 500мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 15Ом; 1210; 500мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,19 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Опір:
15Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 7,87кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 7,87кОм; SMD; 0201; 50мВт; ±1%; 25В; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 6,49Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 6,49Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В

0,13 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 10кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В
Резистор: thin film; 10кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В

1,13 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Дисплей: VFD; буквено-цифровий; 9x1; Знак: 9,7мм; -40÷85°C; зелений
Дисплей: VFD; буквено-цифровий; 9x1; Знак: 9,7мм; -40÷85°C; зелений

0,00 грн

Вид дисплея:
буквено-цифровий
Висота знаку:
9,7мм
К-ть знаків:
9
Кількість знаків (стовбців х ліній):
9x1
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

1,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,8пФ
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 220кОм; SMD; 2010; 500мВт; ±1%; HV; 2кВ
Резистор: thick film; 220кОм; SMD; 2010; 500мВт; ±1%; HV; 2кВ

2,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
3кВ
Корпус - дюйм:
2010
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD