Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 16,4А; Idm: 64А

Немає в наявності
Код товару: SQS482EN-T1_GE3
22,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQS482EN-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 26нКл
Корпус: PowerPAK® 1212-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 8,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 62Вт
Струм стока: 16,4А
Струм стоку в імпульсі: 64А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 1; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 1; THT; 3A; 250V

8,24 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Діод: випрямний Шотткі; THT; 150В; 30Аx2; TO247; Ufmax: 0,63В; туба
Діод: випрямний Шотткі; THT; 150В; 30Аx2; TO247; Ufmax: 0,63В; туба

276,86 грн

Вид упаковки:
туба
Зворотна напруга макс.:
150В
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 3,65кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 3,65кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В

2,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 42; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 42; THT; 3A; 250V

904,71 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 24,3кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 24,3кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±1%; MCT0603; M; 75В

2,02 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Діод: TVS; 5кВт; 26,7В; 128А; односпрямована; Ch: 1; -65÷150°C
Діод: TVS; 5кВт; 26,7В; 128А; односпрямована; Ch: 1; -65÷150°C

325,65 грн

Зворотна напруга макс.:
24В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
26,7В
Недоступний
Реактор: дротяний; THT; 10,3мГн; 2А; R: 150мОм; 250ВAC; -25÷120°C
Реактор: дротяний; THT; 10,3мГн; 2А; R: 150мОм; 250ВAC; -25÷120°C

112,14 грн

Індуктивність:
10,3мГн
Монтаж:
THT
Опір:
0,15Ом
Робоча напруга:
250В AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,4А; Idm: 6А; 0,3Вт; ESD

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,1нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 14А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 14А; Idm: 100А

112,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 46А; Idm: 163А; 206Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 46А; Idm: 163А; 206Вт

609,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
99нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 500мА; Idm: 2А

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,3нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 40В; 60А; Idm: 240А; 62,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 40В; 60А; Idm: 240А; 62,5Вт

35,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
57нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 70А; Idm: 210А; 123Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 70А; Idm: 210А; 123Вт

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
38нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; Idm: 0,8А; 0,225Вт; SOT23

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD