Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 33А; Idm: 70А

Name: Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 33А; Idm: 70А
Brand: VISHAY
SKU: SIRA18DP-T1-RE3
Price: 9.19 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SIRA18DP-T1-RE3

9,19 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

SIRA18DP-T1-RE3

Виробник:

VISHAY

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

21,5нКл

Корпус:

PowerPAK® SO8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

-16...20В

Напруга сток-джерело:

30В

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

14,7Вт

Струм стока:

33А

Струм стоку в імпульсі:

70А

Технологія:

TrenchFET®

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
9нКл

Корпус:
SOT223

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 600В; 130Вт; D2PAK,TO263

76,03 грн

Корпус:
D2PAK; TO263

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±25В

Напруга сток-джерело:
600В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 240В; 0,5А; Idm: 1,5А; 2,5Вт; SOT223

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT223

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; Idm: 68А; 125Вт

172,96 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
66нКл

Корпус:
D2PAK; TO263

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
18,2нКл

Корпус:
WDFN8

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 3,1А; Idm: 8А; 1,6Вт; SOT23

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
10,4нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 238мА; Idm: 0,714А; 300мВт

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SC75

Модель:
ESD