Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 40В; 12,8А; Idm: 50А

Немає в наявності
Код товару: SI7848BDP-T1-E3
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SI7848BDP-T1-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 50нКл
Корпус: PowerPAK® SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 23Вт
Струм стока: 12,8А
Струм стоку в імпульсі: 50А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 249кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8X
Резистор: thin film; 249кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8X

36,30 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 38; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 38; THT; straight

102,00 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
37,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 150кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF
Резистор: thick film; 150кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF

1,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,регульований; 1,3÷36В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,регульований; 1,3÷36В

338,95 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; регульований
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
1,3...36В
Вхідна напруга:
3...36В
Недоступний
IC: driver; півмісток IGBT,півмісток MOSFET; MillerDrive™; SOP14
IC: driver; півмісток IGBT,півмісток MOSFET; MillerDrive™; SOP14

79,83 грн

Вид об'єднаної схеми:
high-/low-side; контролер затворів
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідний струм:
-2,5...2,5А
Захист:
мінімальна напруга UVP
Недоступний
Резистор: thick film; 4,87Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,87Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,45А; 0,28Вт; SOT523; ESD

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 700В; 7,5А; 59,5Вт; PG-TO252-3

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±16В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 33А; 235Вт; D2PAK

145,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
48нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 44А; 135Вт; DPAK

117,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
36нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11А; 2,5Вт; SO8

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 34А; 74Вт

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 13,5А; 83Вт; TO252

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD